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OFET測(cè)試晶片S181 Ossila測(cè)試晶片S182 代理Ossila
OFET測(cè)試晶片S181 Ossila測(cè)試晶片S182 代理Ossila
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供應(yīng)數(shù)量：
 2409
發(fā)布日期：
 2024/9/12
有效日期：
 2025/3/12
原 產(chǎn) 地：
已獲點(diǎn)擊：
 2409
產(chǎn)品報(bào)價(jià)：
  [詳細(xì)資料]

只用于動(dòng)物實(shí)驗(yàn)研究等

Low density bottom gate bottom contact prefabricated FET substrate Pre-fabricated low-density FET substrate.

OFET測(cè)試晶片S181 Ossila測(cè)試晶片S182 代理Ossila

Schematics

Constant channel length design

OFET測(cè)試晶片S181 Ossila測(cè)試晶片S182 代理Ossila

Low density FET substrate mask dimensions (constant channel length)Constant channel width low-density FET design.

 

Variable channel length design

Low density OFET substrate mask dimensions (variable channel length)Variable channel width low-density FET design.


 
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